mit·i·gate — … Useful english dictionary
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode — Schaltzeichen der vier IGBT Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (englisch insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es… … Deutsch Wikipedia
CMOS-IC mit isoliertem Gate — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
komplementärer MOS-Schaltkreis mit isoliertem Gate — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit isoliertem Gate — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit schwebendem Gate — MOP darinys su plūdriąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. floating gate MOS; floating gate MOS structure vok. MOS Struktur mit schwebendem Gate, f rus. МОП структура с плавающим затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit schwebendem Gate und Lawineninjektion — griūtinės injekcijos MOP darinys su plūdriąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. floating gate avalanche injection MOS; floating gate avalanche injection MOS structure vok. MOS Struktur mit schwebendem Gate und… … Radioelektronikos terminų žodynas
Feldeffekttransistor mit selbstjustiertem Gate — lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit selbstjustiertem Gate, m rus. полевой транзистор с самосовмещённым… … Radioelektronikos terminų žodynas
Feldeffekttransistor mit verschobenem Gate — lauko tranzistorius su paslinkta užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. offset gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit verschobenem Gate, m rus. полевой транзистор со смещённым затвором, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
